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北京赛米莱德贸易有限公司

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公司官网:www.semild.com
企业地址:北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208
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北京赛米莱德贸易有限公司位于北京市北京经济技术开发区,毗邻中芯国际,京东方,RFMD------等半导体、LCD工厂。在半导体,LED,TFT-LCD,太阳能光伏领域具有十年以上的进口设备代理和安装维修经验。是一家致力于LED,MEMS,光电半导体,太阳能光伏工厂及实验室所需设备、耗材的**解决方案......

NR9 3000P光刻胶多少钱-赛米莱德

产品编号:100013977024                    更新时间:2022-07-07
价格: 来电议定
 北京赛米莱德贸易有限公司

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  • 主营业务:光刻胶
  • 公司官网:www.semild.com
  • 公司地址:北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208

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苏经理 15201255285

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产品详情





光刻胶

光增感剂

是引发助剂,能吸收光能并转移给光引发剂,或本身不吸收光能但协同参与光化学反应,起到提高引发效率的作用。

光致产酸剂

吸收光能生成酸性物质并使曝光区域发生酸解反应,用于化学增幅型光刻胶。

助剂

根据不同的用途添加的颜料、固化剂、分散剂等调节性能的添加剂。

主要技术参数

分辨率(resolution)

是指光刻胶可再现图形的小尺寸。一般用关键尺寸来(CD,CriticalDimension)衡量分辨率。












NR9-1000py

问题回馈:

1.我们是LED制造商,麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。

A 据我所知,Futurrex

有几款胶很,NR7-1500P

NR7-3000P是专门为离子蚀刻

设计的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。

2.请问有没有可以替代goodpr1518,Micropure去胶液和goodpr显影液的产品?

A 美国光刻胶,Futurrex

正胶PR1-2000A

, 去胶液RR4,和显影液RD6可以解决以上问题。

3.你们是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的应用产品?

A 我们建议使用Futurrex

PR1-500A , 它有几个优点:比较好的解析度,比较好的线宽控制,

反射比较少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~

4. 求助,耐高温的光阻是那一种?

A Futurrex, NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻),再经过HMCTS

silyiation process,可以达到耐高温200度,PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。

5.厚膜光阻在镀金应用上,用哪一种比较理想?

A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的湿膜更加适合,和理想。

6.请教LIFT-OFF制程哪一种光阻适合?

A 可以考虑使用Futurrex

,正型光阻PR1,负型光阻用NR1&NR7,它们都可以耐高温180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7.请问,NR9 3000P光刻胶多少钱,那位知道,RIE

Mask,用什么光阻比较好?

A 正型光阻用PR1系列,负型光阻使用NR5,两种都可以耐高温180度。

8.一般厚膜制程中,哪一种光阻适合?

A NR9-8000P有很高的深宽比(超过4:1),一般厚膜以及,MEMS产品的高需求。

9.在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗?

A 建议不使用,NR9 3000P光刻胶,因为使用NR5-8000更加理想和适合。

10.我们是OLED,我们有一种制程上需要一层SPACER,那种光阻适合?

A 有一种胶很适合,美国Futurrex

生产的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers



五、曝光

在这一步中,将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应,从而使正光刻胶被照射区域(感光区域)、负光刻胶未被照射的区域(非感光区)化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域,在下一步的能够溶解于特定的显影液中。

在接受光照后,正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应,变为乙烯酮,并进一步水解为茚并羧酸(Indene-Carboxylic-Acid, CA),羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍,NR9 3000P光刻胶哪家好,产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度,就可以进行掩膜图形的转移。

曝光方法:

a、接触式曝光(Contact Printing)掩膜板直接与光刻胶层接触。

b、接近式曝光(Proximity Printing)掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm。

c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。

d、步进式曝光(Stepper)


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