半导体光刻技术——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
那么第三代半导体材料究竟是什么呢？
在国际上一般把禁带宽度（Eg）大于或等于2.3 eV 的半导体材料称之为宽禁带半导体材料也称第三代半导体材料。
常见的第三代半导体材料包括：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌（ZnO）、氮化铝（AlN）等。
代半导体材料以硅（Si）为代表，经过长期的发展取代了笨重的电子管，从而推动了以集成电路为的微电子产品的迅猛发展；
第二代半导体材料则以镓（GaAs）和锑化铟（InSb）等为主，其中磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键器件，而镓高速器件更开拓了光纤及移动通信新产业。
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半导体光刻技术——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻板是整个芯片的所在，半导体光刻技术厂商，没有光刻板，光刻机是无法准确加工芯片的。拿刻板，就可以任何公司的芯片，就像拿走的电板可以制造逼真的一样。 光刻板就相当于照相的底片，光刻机的作用就是要把底片上的图案印到光刻胶上。这个底片也就是光刻板，它的制造跟芯片光刻流程相似，但比光刻工艺更难，而不是更简单。
光刻板是由芯片代工厂设计出来的，首先需要拿到客户设计好的芯片图纸，这个图纸是电子版的，用EDA软件绘制。
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MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，台湾半导体光刻技术，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
在半导体工艺里，沉积是指在原子或分子水平上，将材料沉积在晶圆表面作为一个薄层的过程。沉积工艺就像是喷涂刷，将涂料均匀的薄薄喷洒在晶圆表面上。
根据实现方法的不同，沉积主要分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。
PVD是利用物理方法，将材料源气化成气态原子、分子，或电离成离子，并通过低压气体，在基体表现沉积成薄膜的过程。一般用来沉积金属薄膜。
CVD是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物，在衬底表面进行化学反应形成薄膜的方法。一般用于沉积半导体或绝缘体，半导体光刻技术加工，以及金属合金等。
为了增强化学反应，CVD也可以与其他方法相结合。如PECVD（等离子增强CVD，半导体光刻技术价钱，就是利用等离子体来化学反应，改善CVD的方法。
根据不同目标和需求，PVD和CVD在实际工艺流程中也可以自由选择。
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