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车载逆变器产品的主要元器件参数及代换

图1电路中的主要器件有驱动管SS8550、KSP44，MOS功率开关管IRFZ48N、IRF740A，快恢复整流二极管HER306以及PWM 控制芯片TL494CN (或KA7500C)。

SS8550为TO-92形式封装的PNP型三极管。其引脚电极的识别方法是，当面向三极管的印字标识面时，引脚1为发射极E、2为基极B、3为集电极C。

SS8550的主要参数指标为：BVCBO=-40V，BVCEO=-25V，VCE(S)=-0.28V， VBE(ON)=-0.66V ，fT=200MHz，ICM=1.5A，PCM=1W，TJ= 150℃ ，hFE=85～160(B)、120～200(C)、160～300(D)。

与TO-92形式封装的SS8550相对应的表贴器件型号为S8550LT1，其封装形式为SOT-23。

SS8550为目前市场上较为常见、易购的三极管，价格也比较便宜，单只售价仅0.3元左右。

KSP44为TO-92形式封装的NPN型三极管。其引脚电极的识别方法是，当面向三极管的印字标识面时，其引脚1为发射极E、2为基极B、3为集电极C。

KSP44的主要参数指标为：BVCBO=500V ，太阳能光伏组件回收，BVCEO=400V，VCE(S)=0.5V ，VBE(ON)=0.75V ，ICM=300mA ，PCM=0.625W ，TJ=150℃，hFE=40～200。

车载逆变器产品的主要元器件参数及代换

IRFZ48N为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRFZ48N的主要参数指标为：VDss=55V，ID=66A，Ptot=140W，TJ=175℃，RDS(ON)≤16mΩ 。

当IRFZ48N损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF3205进行代换。IRF3205的主要参数为VDss=55V，ID=110A，RDS(ON)≤8mΩ。其市场售价仅为每只3元左右。

IRF740A为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。

IRF740A的主要参数指标为：VDSS=400V ，ID=10A，Ptot=120W ，RDS(ON)≤550mΩ。

当IRF740A损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N 沟道增强型MOS 开关管IRF740B、IRF740或IRF730进行代换。IRF740、IRF740B的主要参数与IRF740A完全相同。IRF730的主要参数为VDSS=400V，ID=5.5A，RDS(ON)≤1Ω。其中IRF730的参数虽然与IRF740系列的相比略差，组件回收价格，但对于150W以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。

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烧结

烧结目的

干燥硅片上的浆料，拆卸组件回收，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。

烧结对电池片的影响

银浆的烧结很重要，对电池片电性能影响主要表现在 串联电阻和并联电阻 ，即 FF 的变化。

铝浆烧结的目的使浆料中的完全挥发，并形成完好的铝硅合金和铝层。局部的受热不均和散热不均可能会导致起包，严重的会起铝珠。背面场经烧结后形成的铝硅合金，铝在硅中是作为 P 型掺杂，它可以减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高 开路电压和短路电流 ，改善对红外线的响应。

烧结过程

1. 室温 ~300 度，溶剂挥发。

2.300~500度，有机树脂分解排出，需要氧气。

3.400 度以上，玻璃软化。

4.600 度以上，玻璃与减反层反应，实现导电。