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背电场:
1级:
背电场完整,厚薄均匀,允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 5% ,变色面积不超过背电场面积的 15% 。
新的标准:背电场完整,厚薄均匀,不允许有缺失
B 级:
允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 10% ,变色面积不超过背电场面积的 30% 。
新的标准:允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 5% ,变色面积不超过背电场面积的 15% 。
C 级:
允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 10% ,变色面积不超过背电场面积的 50% 。
新的标准:缺失面积不超过背电场总面积的 5% ,变色面积不超过背电场面积的 50% 。
粗点:
1 级:
粗点宽度≤ 0.18mm ,个数小于 2 个
新的标准:不允许有粗点
B 级:
粗点宽度≤ 0.25mm ,个数小于 5 个
新的标准:允许有粗点,粗点宽度≤ 0.18mm ,个数小于 2 个
C 级:
粗点宽度≤ 0.3mm ,个数小于 8 个
新的标准:当主栅线或副栅线有明显粗细不均时,应用刻度显微镜进行查检。



多晶硅的技术特征
⑴多种生产工艺路线并存,产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同,因此生产工艺技术不同;进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异,各有技术特点和技术秘密,总的来说,国际上多晶硅生产主要的传统工艺有:改良西门子法、法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80%,短期内产业化技术垄断的局面不会改变。
⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺(电子级和太阳能级兼容)及技术升级外,还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术,主要有:改良西门子法的格工艺;冶金法从金属硅中提取高纯度硅;高纯度SiO2直接制取;熔融析出法(VLD:Vaper to liquid deiTIon);还原或热分解工艺;无氯工艺技术,Al-Si溶体低温制备太阳能级硅;熔盐电解法等。



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1、 色差片是怎样产生的?
这与化学气相沉淀时间有关,时间长会发白,时间短会发黄
2、 光面片是怎样产生的?
首先是因为片子本身就是光面片,江苏组件多少钱,其次就是在腐蚀中加入 NaOH 量过多
3、 光外形片是怎样产生的?
单测单包(前道丝印也要单独挑出,选择合适的网板印制)
4、 绒面斑是怎么来的?
一方面是硅片的表面存在一定的脏污在制绒时没有清洗干净,另一方面是我们的工艺卫生到位,手指印、吸盘印、化学品没有处理干净
5、 对未烧透的片子怎么处理?
硅片与硅片之间存在一定的厚度,如果在做薄片中间夹着厚片就会烧不透,烧结的温度低了



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