芯片的背部减薄制程
1. Grinding制程：
对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。
2. Lapping制程
减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。
除了裂片之外，双鸭山组件回收，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。
电池片工艺流程 制绒（INTE）--扩散（1DIF）---后清洗（刻边/去PSG）----镀减反射膜PECVD----丝网、烧结。（PRINTER）---测试、分选（TESTER+SORER----包装（PACKING）。
1、制绒
制绒的目的是在硅片表面形成绒面面，以减少电池片的反射率，绒面凹凸不平可以增加二次反射，改变光程及入射方式。通常情况下用碱处理单晶，可以得到金字塔状绒面；用酸处理多晶，可以得到虫孔状无规则绒面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。
工艺流程：制绒槽→水洗→碱洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。
一般情况下，硅与HF、HNO3（硅表面会被钝化）认为是不反应的。当存在于两种混合酸的体系中，硅与混合溶液的反应是持续性的。
隐裂、热斑、PID效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
1. 什么是“隐裂”
隐裂是晶体硅光伏组件的一种较为常见的缺陷，通俗的讲，单晶组件回收，就是一些肉眼不可见的细微（micro-crack）。晶硅组件由于其自身晶体结构的特性，十分容易发生。
在晶体硅组件生产的工艺流程中，旧组件回收，许多环节都有可能造成电池片隐裂。隐裂产生的根本原因，可归纳为硅片上产生了机械应力或热应力。现在为了降低成本，晶硅电池片向越来越薄的方向发展，降低了电池片防止机械破坏的能力，更容易产生隐裂。
旧组件回收-双鸭山组件回收-回收1亿韵汇光伏由苏州亿韵汇光伏科技有限公司提供。苏州亿韵汇光伏科技有限公司为客户提供“拆卸光伏组件,降级太阳能电池板,发电板光伏板太阳能板回收”等业务，公司拥有“亿韵汇,亿韵汇硅业,亿韵汇光伏科技,物资回收公司”等品牌，专注于太阳能及再生能源等行业。，在苏州新区金山路248号的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：张先生。