湖北SLED-武汉沐普科技光源

超辐射发光二极管（SLD）是边发射半导体光源。超辐射发光二极管（SLD）具有与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。与LD相比，SLD的具体区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。SLD具有与LED相似的结构特征，都是通过降低刻面的反射率来抑制激光作用，但是SLD没有LD内置的反射机制用于受激辐射以实现激光输出。SLD本质上是高度优化的LED。虽然SLD可以像低电流水平的LED一样工作，但是它的输出功率在高电流下是超线性地增加。因为其宽光谱的特性，普通光隔离器（带宽较窄）无法对其发射光谱完全隔离，因此需要特殊的宽带宽隔离器与其配套使用。在SLD光源以及应用宽带宽的光学系统中，宽带宽隔离器是保护SLD激光光源的不2选择。

光学相干层析成像系统结合了低相干干涉和共焦显微测量的特点。系统选用的光源为宽带光源，常用的是超辐射发光二极管(SLD)。光源发出的光经2×2耦合器分别通过样品臂和参考臂照射到样品和参考镜，两个光路中的反射光在耦合器中汇合，而两臂光程差只有在一个相干长度内才能发生干涉信号。同时由于系统的样品臂是一个共焦显微镜系统，探测光束焦点处返回的光束具有的信号，可以排除焦点外的样品散射光的影响，这是OCT可以成像的原因之一。把干涉信号输出到探测器，信号的强度对应样品的反射强度，经过解调电路的处理，SLED，后由采集卡采集到计算机进行灰度成像。

武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求，SLED输出光的低相干度特性对于减小瑞利（Rayleigh）散射噪声极为有利，结合高输出光功率与宽光谱范围的优点，可以有效地降低探测噪声，提高空间分辨率（对于OCT应用）和提高测量灵敏度（对于光纤传感）。




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