760VCSEL-武汉沐普科技光源(图)

一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1％左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。但是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加，目前，很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA，需要改进封装结构，全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外，在应用设计中，PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。



DFB半导体激光器的主要结构   DBF半导体激光器在半导体的有源增益区域中使用布拉格衍射光栅以形成波导。这些衍射光栅被设计为折射率周期性变化结构，起到反射镜的作用，将激光反射回激光器的谐振腔中。与法布里-珀罗激光二极管（其在激光腔两端使用反射镜）不同，DFB激光器中的激光反射沿着整个腔。
武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，760VCSEL，满足客户不同应用领域的要求



激光器的工作原理
除自由电子激光器外，各种激光器的基本工作原理均相同。产生激光的的条件是粒子数反转和增益大于损耗，所以装置中的组成部分有激励（或抽运）源、具有亚稳态能级的工作介质两个部分。激励是工作介质吸收外来能量后激发到激发态，为实现并维持粒子数反转创造条件。激励方式有光学激励、电激励、化学激励和核能激励等。




760VCSEL-武汉沐普科技光源(图)由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司为客户提供“SLD宽带光源,高稳定性DFB光源”等业务，公司拥有“沐普”等品牌，专注于光电子、激光仪器等行业。，在湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：聂总。