隐裂、热斑、PID效应，太阳能组件板回收，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
1. 什么是“隐裂”
隐裂是晶体硅光伏组件的一种较为常见的缺陷，通俗的讲，就是一些肉眼不可见的细微（micro-crack）。晶硅组件由于其自身晶体结构的特性，十分容易发生。
在晶体硅组件生产的工艺流程中，许多环节都有可能造成电池片隐裂。隐裂产生的根本原因，可归纳为硅片上产生了机械应力或热应力。现在为了降低成本，晶硅电池片向越来越薄的方向发展，降低了电池片防止机械破坏的能力，更容易产生隐裂。
等离子刻蚀
硅片：硅单质材料的片状结构，厚度比较薄，主要有圆形和方形两种结构，有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料，一般用作半导体集成电路的衬底，回收太阳能光伏组件，也用于制作太阳能电池片。多晶是没有统一固定晶向的晶体材料，一般用于太阳能光伏发电，或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅是一种优良的高纯半导体材料，IC级别的纯度要求达到9N以上（99.9999999%），区熔单晶硅片甚至达到11N（99.999999999%）以上。通常通过直拉法（CZ）和区熔法（FZ）长晶得到，铁岭组件回收，其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前重要的半导体材料，回收组件，占据半导体材料市场的90%以上，是信息技术和集成电路的基础材料。
丝网印刷
通俗的说就是为太阳能电池收集电流并制造电极，道背面银电极，第二道背面铝背场的印刷和烘干；第三道正面银电极的印刷，主要监控印刷后的湿重和次栅线的宽度。第二道道湿重如果过大，既浪费浆料，同时还可能导致不能在进高温区之前充分干燥，甚至不能将其中的所有有机物赶出从而不能将整个铝浆层转变为金属铝，另外湿重过大可能造成烧结后电池片弓片。湿重过小，所有铝浆均会在后续的烧结过程中与硅形成熔融区域而被消耗，而该合金区域无论从横向电导率还是从可焊性方面均不适合于作为背面金属接触，另外还有可能出现鼓包等外观不良。第三道道栅线宽度过大，会使电池片受光面积较少，效率下降。
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