DFB芯片的制作工艺非常复杂，体现了半导体产品在生产制造上的复杂程度，芯片大小可以在成人大拇指上形象地看出来。
DFB芯片设计：芯片分为P极和N极，当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。光纤通讯通讯是DFB的主要应用，如1310nm，1550nm DFB激光器的应用，这里主要介绍非通讯波段DFB激光器的应用。
2006年，Cliche等人利用电学反馈的方法将MHz量级的半导体分布式反馈激光器(distributed feedback laser，DFB)降低到kHz量级;2011年，Kessler等人利用低温高稳单晶腔结合有源反馈控制获得40 MHz的超窄线宽激光输出;2013年，Peng等人利用腔外法珀腔(Fabry-Perot， FP)反馈调节的方法获得15 kHz线宽的半导体激光输出，电学反馈方法主要利用的是Pond-Drever-Hall稳频反馈使得光源激光线宽得到压缩。2010年，湖北DFB激光器，Bernhardi等人在氧化硅基底上制作1 cm的掺铒氧化铝FBG，获得线宽约为1.7 kHz的激光输出。同年，DFB激光器型号，Liang等人针对半导体激光器利用高Q回音壁谐振腔形成的后向瑞利散射自注入反馈进行线宽压缩，如图 1所示，终获得160 Hz的窄线宽激光输出。
fp激光器与dfb激光器有什么区别
DFB激光器的谱宽一般都比较窄，DFB激光器批发，10MHz左右，甚至KHz量级的 而FP激光器的谱宽相对比较宽，是一个多纵模的激光器，谱宽一般都在nm级别，也就是几百GHz了
折射率耦合：折射率周期性变化引起的布拉格反射
增益耦合：增益周期性变化引起的分布反馈
折射率耦合是因为DFB中含有布拉格光栅导致折射率周期性变化，对光的选择性反射所引起的耦合作用
增益耦合是因为在布拉格光栅中光增益周期性变化所引起的分布式反馈。
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