利用氧等离子体表面处理，使PDMS与带有钝化层的硅片在室温常压下可以成功键合。在利用氧等离子体改性处理实现PDMS与其它基片键合的技术中，-般认为，在进行氧等离子体表面改性后，应立即将PDMS基片与盖片贴合，否则PDMS表面将很快恢复疏水性，从而导致键合失效，江苏疏水处理，因此可操作工艺时间较短，一般为1 ~ 10min。而通常在需键合的PDMS基片和硅基片上都会带有相应的微细结构，键合前需用一定的时间进行结构图形的对准，因此，如何使PDMS活性表面的持续时间得以延长，疏水处理剂，成为保证键合质量的关键。
当今社会已经进入了电子信息时代，微处理芯片的发明改变了世界，微电子、信息技术的水平已经被视为一个国家现代化水平高低的重要标志。硅经过提纯加工成单晶硅片，就是生产集成电路芯片的片基。亲水性和疏水性是硅片的重要物理性质，对硅片的后期加工起着重要的作用。当硅片本身的亲疏水性无法达到加工制造的要求时，就要对硅片进行亲疏水处理，使其满足加工制造的要求。
目前，关于PDMS. 与硅基材料低温键合的方法多种多样。在制作硅- PDMS多层结构微阀的过程中，将PDMS直接旋涂、固化在硅片上，实现硅- PDMS薄膜直接键合，这种方法属于可逆键合，键合强度不高。在制作生物芯片时，利用氧等离子体分别处理PDMS和带有氧化层掩膜的硅基片，将其键合在一起。此方法实际上是PDMS与SiO2掩膜层的键合，但在硅表面由热氧化法制得的SiO2膜层与PDMS的键合效果并不理想。
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