芯片制造可靠性测试
1、电迁移 (EM)
2、电介质击穿(TDDB)
3、热载流子注入效应(HCL)
5、负偏压温度不稳定性(NBTI)
6、应力迁移(SM)
电性验证测试
1、应力测试和试验前后功能/ 参数(TEST)
2、静电放电人体模型/ 机械模式(HBM/MM)
3、静电放电带电期间模式(CDM)
4、闩锁效应(LU)
5、电分配(ED)
6、故障等级(FG)
7、特性描述(CHAR)
8、热电效应引起闸极漏电(GL)
9、电磁兼容(EMC)
10、短路特性描述(SC)
11、软误差率(SER)





芯片需要做哪些测试呢?
一颗芯片zui终做到终端产品上,一般需要经过芯片设计、晶圆制造、晶圆测试、封装、成品测试、板级封装等这些环节。在整个价值链中,芯片公司需要主导的环节主要是芯片设计和测试,其余的环节都可以由相应的环节来主导或者完成。
主要分三大类:芯片功能测试、性能测试、可靠性测试,芯片产品要上市三大测试缺一不可。
功能测试:是测试芯片的参数、指标、功能。
性能测试:由于芯片在生产制造过程中,有无数可能的引入缺陷的步骤,电动执行器认证亚诺欧,即使是同一批晶圆和封装成品,芯片也各有好坏,所以需要进行筛选。
可靠性测试:芯片通过了功能与性能测试,得到了好的芯片,但是芯片在使用过程中是否耐用是否会因为某些环境加速老化包括芯片能用多久,这些都要通过可靠性测试进行评估。
3、基本功能验证、MCU为复杂电路、芯片中具有微程序控制任务的产品叫做复杂电路。复杂电路使用ATE进行静态/动态参数测试时,电动执行器认证Arnool,其中包含了功能的矢量,张家口电动执行器认证,因此即使基础测试通过,复杂电路并不能被视为OK,由于功能向量的要求很高,ATE不能做到这一点,电动执行器认证速度,存储深度也不能支持复杂电路,“任何时期的ATE都不能支持复杂电路的发展要求,简单ATE的测试也不能判断复杂电路的完整性。”陈大为说到,“对于复杂电路一定要进行功能验证,比如说复杂电路有很多高速接口、协议完整性跟电器物理参数靠ATE测试就没戏,必须要做EVB(板极)测试做功能演算,或是用ATE+台式仪器。”测试温度环境:- 40℃ 、 25℃ 、85℃( 105℃ 、 125℃ 、 150℃ )。
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