SLD光源是光子自发辐射被单程受激放大的半导体光源，具有较高的输出功率、窄的光束发散角、宽输出的光谱（低时间相干性）。SLD主要有830nm和1310nm两个波段，由于平均波长稳定性和功率不满足高精度要求，适用于中精度光纤陀螺。
SLD 光源内部结构由 SLD 管芯、热敏电阻、热 沉、半导体制冷器(TEC)、尾纤、外壳等部 件组成。TEC 用来控制和稳定光源的管芯温度， 热敏电阻用来敏感光源管芯温度的变化，热沉 导热系数大，用于散热。
超辐射发光二极管（SLD）是边发射半导体光源。超辐射发光二极管（SLD）具有与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。与LD相比，SLD，SLD的具体区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。SLD具有与LED相似的结构特征，都是通过降低刻面的反射率来抑制激光作用，但是SLD没有LD内置的反射机制用于受激辐射以实现激光输出。SLD本质上是高度优化的LED。虽然SLD可以像低电流水平的LED一样工作，但是它的输出功率在高电流下是超线性地增加。因为其宽光谱的特性，普通光隔离器（带宽较窄）无法对其发射光谱完全隔离，因此需要特殊的宽带宽隔离器与其配套使用。在SLD光源以及应用宽带宽的光学系统中，宽带宽隔离器是保护SLD激光光源的不2选择。
SLED光源的辐射特性介于半导体激光器和半导体发光二极管之间。随着陀螺仪、光学相干断层扫描（OCT）、分布式光纤传感和的发展，SLED推出了一系列产品。基础包括光源覆盖的波长范围和光波的偏振特性。特别是随着干涉式光纤传感器的发展，光源的偏振特性受到了越来越广泛的关注。根据光源的偏振特性，SLED光源已经发展到两个，即高偏振和低偏振SLED光源。武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求
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