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表面制绒

单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有，和等。大多使用廉价的浓度约为1%的稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。

电路板清洗技术

溶剂清洗技术

溶剂清洗主要是利用了溶剂的溶解力除去污染物。采用溶剂清洗，由于其挥发快，溶解能力强，故对设备要求简单。根据选用的清洗剂，可分为可燃性清洗剂和不可燃性清洗剂，前者主要包括有机烃类和醇类（如有机烃类、醇类、二醇酯类等），后者主要包括氯代烃和氟代烃类（如HCFC 和HFC 类）等。

HCFC 类清洗剂及其清洗工艺特点

这是一种含氢的氟氯烃，其蒸发潜热小、挥发性好，降级组件多少钱，在大气中容易分解，破坏臭氧层的作用比较小，属于一种过渡性产品，单晶硅组件多少钱，规定在2040 年以前淘汰，所以，我们不推荐使用该类清洗剂。

其存在的问题主要有两个：一是过渡性。因为对臭氧层还有破坏作用，只允许使用到 2040 年；二是价格比较高，清洗能力较弱，增加了清洗成本。

镀减反射膜

抛光硅表面的反射率为35%，为了减少表面反射，温州组件多少钱，提高电池的转换效率，需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半导体材料的基石，它是先通过拉单晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4，滴胶板组件多少钱，序数适中，所以硅元素具有特殊的物理化学性质，可用在化工、光伏、芯片等领域。特别是在芯片领域，正式硅元素的半导体特性，使其成为了芯片的基石。在光伏领域，可用于太阳能发电。而且地球的地壳中硅元素占比达到25.8%，开采较为方便，可回收性强，所以价格低廉，进-步增强了硅的应用范围。