半导体激光器，这类激光器是以一定的半导体材料作工作物质而产生受激发射作用，1653nmDFB激光器，其原理是通过一定的激励方式(电注入、光泵或高能电子束注入)，在半导体物质的能带之间或能带与杂质能级之间，武汉DFB激光器，通过激发非平衡载流子而实现粒子数反转，从而产生光的受激发射作用；
DFB激光器的发展方向是，更宽的调谐范围和更窄的线宽，在一个DFB激光器集成两个独立的光栅，实现更宽的波长谐调范围，比如达到100nm谐调范围，以及更窄的光谱线宽，用一个DFB激光器实现检测多种气体的功能；更长的中心波长，2004nmDFB激光器，从750nm到3500nm，并逐渐往4000nm甚至更高的中心波长发展；更高的功率，由于DFB激光器功率普遍较低，高功率能够实现长距离、多路等更广泛的应用。
激光工作介质 激光的产生必须选择合适的工作介质，可以是气体、液体、固体或半导体。在这种介质中可以实现粒子数反转，以制造获得激光的必要条件。显然亚稳态能级的存在，对实现粒子数反转世非常有利的。现有工作介质近千种，可产生的激光波长包括从真空紫外道远红外，非常广泛。 为了使工作介质中出现粒子数反转，必须用一定的方法去激励原子体系，使处于上能级的粒子数增加。一般可以用气体放电的办法来利用具有动能的电子去激发介质原子，称为电激励；也可用脉冲光源来照射工作介质，称为光激励。
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