这只激光器是TO同轴封装形式的，四个管脚定义分别为：1.LD＋（激光器芯片正极）、2.LD－（激光器芯片负级）、3.PD＋（探测发光芯片背光情况的探测器正极）4.PD－。
再看光电参数：该激光器阈值是6.5，也就是说激光器芯片加电要超过6.5mA才有光出来；功率是4.136mW@31.5mA；
如果你只想让激光器发出1550nm波长的光，只需要提供一个激光器驱动电源，将驱动源的正负与激光器的LD正负（正接正，负接负）接好，加上30mA左右的电流就可以探测尾纤上的光了。
DFB芯片的制作工艺非常复杂，体现了半导体产品在生产制造上的复杂程度，芯片大小可以在成人大拇指上形象地看出来。
DFB芯片设计：芯片分为P极和N极，当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，1628nmDFB激光器，p-n结产生激光。光纤通讯通讯是DFB的主要应用，如1310nm，1550nm DFB激光器的应用，这里主要介绍非通讯波段DFB激光器的应用。
一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，DFB激光器，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1％左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。但是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加，目前，很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA，需要改进封装结构，全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，1625nmDFB激光器，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外，在应用设计中，PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。
DFB激光器-武汉沐普科技光源-1530nmDFB激光器由武汉沐普科技有限公司提供。DFB激光器-武汉沐普科技光源-1530nmDFB激光器是武汉沐普科技有限公司今年新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：聂总。