DFB芯片的制作工艺非常复杂，体现了半导体产品在生产制造上的复杂程度，芯片大小可以在成人大拇指上形象地看出来。
DFB芯片设计：芯片分为P极和N极，当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。光纤通讯通讯是DFB的主要应用，如1310nm，1550nm DFB激光器的应用，这里主要介绍非通讯波段DFB激光器的应用。
DFB半导体激光器的主要封装结构：同轴尾纤封装，TO封装，蝶形封装。其中蝶形封装结构为常见。DFB激光器的主要优点是一种轴向共振器模式优于其他模式。这在所需波长处产生相对窄的单模发射峰（单纵模）。它们的单模波形在诸如气体传感和电信的应用中是特别需要的。它们本质上比大多数其他激光二极管结构更稳定，这意味着它们不会模式跳变。模跳变是法布里-珀罗激光器的一个缺点。DFB通常可以通过改变温度和注入电流实现从其中心波长起数纳米的调节。一般来说，DFB可以在10度温度漂移的情况下调谐到1nm左右。这一特性与它们的窄线宽相结合，使得DFB特别适合于需要调整波长和窄线宽以定位气体吸收线的传感应用。
一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1％左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。但是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加，目前，很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA，需要改进封装结构，全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，TDLAS，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外，在应用设计中，PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。
湖北TDLAS-沐普科技(推荐商家)由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司是湖北 武汉 ,光电子、激光仪器的见证者，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在沐普科技领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创沐普科技更加美好的未来。