扩散制结
太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的设备。管式扩散炉主要由石英舟的上部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于百分之十，组件多少钱，少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产基本也是关键的工序。因为正是PN结的形成，实验组件多少钱，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。
太阳电池的分选对组件的性能及质量控制起着极其重要的作用，收购组件多少钱，它将不仅影响到组件的电性能输出，而且极有可能引起曲线异常和热斑现象，电站拆卸组件多少钱，导致组件的早期失效。本文从测试设备的软、硬件方面着手，详细分析了影响电池分选的主要原因，并且针对每个主要原因进行实验分析、验证，提出解决方案，终发现对电池片fV曲线拟合可以有效地解决电池片分选的问题，并终通过大量的数据分析验证方案的有效性，目前这一方法已得到广泛应用。
等离子刻蚀
硅片：硅单质材料的片状结构，厚度比较薄，主要有圆形和方形两种结构，有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料，一般用作半导体集成电路的衬底，也用于制作太阳能电池片。多晶是没有统一固定晶向的晶体材料，一般用于太阳能光伏发电，或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅是一种优良的高纯半导体材料，IC级别的纯度要求达到9N以上（99.9999999%），区熔单晶硅片甚至达到11N（99.999999999%）以上。通常通过直拉法（CZ）和区熔法（FZ）长晶得到，其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前重要的半导体材料，占据半导体材料市场的90%以上，是信息技术和集成电路的基础材料。
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