湖北850nmSLD-沐普科技

武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求，其波段范围非常广阔，850nmSLD，可以达到350nm.通过高能发光二极管的高精度控制实现更高的稳定性。当全部波段模块都设置好后(包括O，E，S，C以及L波段)，一台光源可用于所有的通信窗口.高速外置调制器可配合锁定放大器，以进行高灵敏度的测量以及数据通信。


超辐射发光二极管（SLD）是边发射半导体光源。超辐射发光二极管（SLD）具有与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。与LD相比，SLD的具体区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。SLD具有与LED相似的结构特征，都是通过降低刻面的反射率来抑制激光作用，但是SLD没有LD内置的反射机制用于受激辐射以实现激光输出。SLD本质上是高度优化的LED。虽然SLD可以像低电流水平的LED一样工作，但是它的输出功率在高电流下是超线性地增加。因为其宽光谱的特性，普通光隔离器（带宽较窄）无法对其发射光谱完全隔离，因此需要特殊的宽带宽隔离器与其配套使用。在SLD光源以及应用宽带宽的光学系统中，宽带宽隔离器是保护SLD激光光源的不2选择。



超辐射发光二极管(SLD)是频域光学相干层析(SD-OCT)成像选择的光源。光谱宽且相干长度短的发射光可提高OCT成像的深度分辨率。SLD设计用于中心波长从770 nm至1450 nm的OCT应用。SLD发货时带有单独的产品数据表，包含装置的光谱和工作参数信息。如有需要，也可提供每个SLD的原始测试数据；详情了解请联系沐普科技。
以上由 武汉沐普科技有限公司为您介绍。


湖北850nmSLD-沐普科技由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司是湖北 武汉 ,光电子、激光仪器的见证者，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在沐普科技领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创沐普科技更加美好的未来。