外围设备
在电池片生产过程中，还需要供电、动力、给水、排水、暖通、真空、特汽等外围设施。消防和环保设备对于保证安全和持续发展也显得尤为重要。一条年产50MW能力的太阳能电池片生产线，仅工艺和动力设备用电功率就在1800KW左右。工艺纯水的用量在每小时15吨左右，水质要求达到中国电子级水GB/T11446.1-1997中EW-1级技术标准。工艺冷却水用量也在每小时15吨左右，水质中微粒粒径不宜大于10微米，供水温度宜在15-20℃。真空排气量在300M3/H左右。同时，还需要大约氮气储罐20立方米，氧气储罐10立方米。考虑到特殊气体如的安全因素，还需要单独设置一个特气间，以保证生产安全。另外，燃烧塔、污水处理站等也是电池片生产的必备设施。
电路板清洗技术
3、 免清洗技术
在焊接过程中采用免清洗助焊剂或免清洗焊膏，焊接后直接进入下道工序不再清洗，
免清洗技术是目前使用多的一种替代技术，尤其是移动通信产品基本上都是采用免洗方法来替代ODS。目前国内外已经开发出很多种免洗焊剂，国内如北京晶英公司的免清洗焊剂。
免清洗焊剂大致可分为三类：
1） 松香型焊剂：再流焊接使用（RMA），可免洗。
2） 水溶型焊剂：焊后用水清洗。
3） 低固态含量助焊剂：免清洗。免清洗技术具有简化工艺流程、节省制造成本
和污染少的优点。近十年来，免清洗焊接技术、免清洗焊剂和免清洗焊膏的普遍使用，是20 世纪末电子产业的一大特点。取代CFCs 的途径是实现免清洗。
镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%，光伏组件价格走势，为了减少表面反射，提高电池的转换效率，多晶组件价格，需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，多晶组件的价格，气体经一系列化学反应和等离子体反应，东营组件价格，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
硅片是半导体材料的基石，它是先通过拉单晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4，序数适中，所以硅元素具有特殊的物理化学性质，可用在化工、光伏、芯片等领域。特别是在芯片领域，正式硅元素的半导体特性，使其成为了芯片的基石。在光伏领域，可用于太阳能发电。而且地球的地壳中硅元素占比达到25.8%，开采较为方便，可回收性强，所以价格低廉，进-步增强了硅的应用范围。
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