超辐射发光二极管（SLD）是边发射半导体光源。超辐射发光二极管（SLD）具有与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。与LD相比，SLD的具体区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。SLD具有与LED相似的结构特征，都是通过降低刻面的反射率来抑制激光作用，但是SLD没有LD内置的反射机制用于受激辐射以实现激光输出。SLD本质上是高度优化的LED。虽然SLD可以像低电流水平的LED一样工作，但是它的输出功率在高电流下是超线性地增加。因为其宽光谱的特性，普通光隔离器（带宽较窄）无法对其发射光谱完全隔离，因此需要特殊的宽带宽隔离器与其配套使用。在SLD光源以及应用宽带宽的光学系统中，宽带宽隔离器是保护SLD激光光源的不2选择。
超辐射光源SLD就是加的电流比较高的LED，SLD，所以SLD有时候也叫做SLED。
SLD的是三个主要参数是功率、光谱范围与光谱调制深度。解释一下光谱调制深度，光谱调制深度是由于腔面不可完全去除的反射引起的谐振，可以根据公式看出增益是与光子本身的频率有周期性关系的。光谱调制深度的公式，可以看出是与SLD两端反射面的反射率有关，这里R1=R2=R。，当R=0时，调制深度就变为0，调制深度越小越好，在光谱上表现为纹波。
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