市场变化趋势：
1.LED芯片4英寸以上的替代率快速提升，国内三安新增MOCVD机型及对现有的2英寸机台升级，国外如三星等芯片厂开始6英寸的批量生产，4英寸单位成本相对于2英寸的优势更加凸显。有理由相信今年对于晶体的考核指标在LED都将折算成4英寸，这就要求大容量单晶炉的开发能尽快跟上。
2.蓝宝石的成本究竟在哪里？很多客户比较关注的是晶棒的市场价格走势，在不考虑电价和补贴的情况下，决定其真正成本的不外乎就是以下三点：设备可使用率及晶体良率、单位能耗、主要热场部件的使用寿命和成本。
芯片的背部减薄制程
1. Grinding制程：
对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。
2. Lapping制程
减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，回收光伏组件，因此此时对钻石液的要求也比较高。
除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。
等离子刻蚀
硅片：硅单质材料的片状结构，厚度比较薄，主要有圆形和方形两种结构，有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料，一般用作半导体集成电路的衬底，也用于制作太阳能电池片。多晶是没有统一固定晶向的晶体材料，一般用于太阳能光伏发电，组件回收hydgphs，或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅是一种优良的高纯半导体材料，长治组件回收，IC级别的纯度要求达到9N以上（99.9999999%），区熔单晶硅片甚至达到11N（99.999999999%）以上。通常通过直拉法（CZ）和区熔法（FZ）长晶得到，其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前重要的半导体材料，占据半导体材料市场的90%以上，是信息技术和集成电路的基础材料。
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