






DFB芯片的制作工艺非常复杂,体现了半导体产品在生产制造上的复杂程度,芯片大小可以在成人大拇指上形象地看出来。
DFB芯片设计:芯片分为P极和N极,当注入p-n结的电流较低时,只有自发辐射产生,随电流值的增大增益也增大,达阈值电流时,p-n结产生激光。光纤通讯通讯是DFB的主要应用,如1310nm,1550nm DFB激光器的应用,这里主要介绍非通讯波段DFB激光器的应用。
DFB激光器的增益耦合与折射率耦合的区别
折射率耦合:折射率周期性变化引起的布拉格反射——双模激1射
增益耦合:增益周期性变化引起的分布反馈——单模激1射
折射率耦合是因为DFB中含有布拉格光栅导致折射率周期性变化,对光的选择性反射所引起的耦合作用
增益耦合是因为在布拉格光栅中光增益周期性变化所引起的分布式反馈。

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