DFB激光器-武汉沐普科技光源-1512nmDFB激光器

DFB光纤激光器的谐振腔是在有源光纤上写入中间带π相移的光纤布拉格光栅。均匀光纤光栅和相移光栅的折射率调制，通过对比可以看到相移光栅在中心处的折射率变化发生了跳变，这会使得光栅的性质发生的很大的变化。通过电磁波的耦合模理论可以证明这种结构在光栅的中心波长处，可以满足激光条件。相移光纤光栅通常可以采用三种方法制作：1.使用均匀模板制作，在光栅写到中间的时候，使用PZT将模板、或者光纤平移半个光栅周期，然后在写入一半光栅，这样可以引入相移；2.使用均匀模板制作一个均匀模板制作一个均匀光栅的中心区域进行曝光，这样由于光栅中心的二次曝光区域的平均折射率发生改变，从而引入了相移；3.采用相移模板制作，由于相移模板的中间有相移，所以可以直接一次曝光即可完成光栅的制作。厘米的长度，这就使得它在实用中有着很高的稳定性;(5)DFB光纤激光器采用光纤制作。



如何使用1550nmDFB激光器组件

这只激光器是TO同轴封装形式的，四个管脚定义分别为：1.LD＋（激光器芯片正极）、2.LD－（激光器芯片负级）、3.PD＋（探测发光芯片背光情况的探测器正极）4.PD－。

再看光电参数：该激光器阈值是6.5，也就是说激光器芯片加电要超过6.5mA才有光出来；功率是4.136mW@31.5mA；

如果你只想让激光器发出1550nm波长的光，只需要提供一个激光器驱动电源，DFB激光器，将驱动源的正负与激光器的LD正负（正接正，负接负）接好，1530nmDFB激光器，加上30mA左右的电流就可以探测尾纤上的光了。

一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1％左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。但是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加，目前，很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA，需要改进封装结构，1512nmDFB激光器，全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，1370nmDFB激光器，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外，在应用设计中，PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。



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