






先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别,这样可能更好的理解。
超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性,LED是纯粹的自发辐射,功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高,自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子,在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射,受激发射的光子从而呈指数型增加,由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点,即腔内损耗等于增益的时候。
对于光谱特性,SLD是初的自发发射谱和LED相同,但在增益的过程中,靠近中心增益波长的光子得到更大的放大,远离中心增益波长的光子得到的较小的放大,从而使光谱变窄。
对于远场分布特性,SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向,由于LED是随机的自发辐射,方向也都是随机的,在这一方向的发散角是120°左右,而SLD在经过定向的自发放大后,发散角也得到了缩小,接近于LD的状态,一般为20°左右。

原子力显微镜是一种扫描探针显微镜(SPM),其中探针跟随材料表面,以检测探针和材料之间的原子力,从而生成材料表面的图像。与光学显微镜相比,扫描探针显微镜具有极高的空间分辨率,能够在原子水平上检查表面轮廓。此外,原子力显微镜是一种扫描探针显微镜,能够测量绝缘材料。
通过将SLD发出的光发射到带有探针的悬臂梁的后侧,并使用位置传感器检查反射的激光,可以更好的地检查探针的移动,从而以纳米级的精度观察物质表面。

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