武汉沐普科技-武汉SLED

武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求，其波段范围非常广阔，可以达到350nm.通过高能发光二极管的高精度控制实现更高的稳定性。当全部波段模块都设置好后(包括O，E，S，C以及L波段)，一台光源可用于所有的通信窗口.高速外置调制器可配合锁定放大器，以进行高灵敏度的测量以及数据通信。

在普通半导体激光二极管中，由于腔体两端面的反射作用会形成法布里－珀罗谐振，当注入电流高于阈值电流时，端面输出增大，会形成激光。但在 SLD 中，通过处理，器件后端面处的反射强度不足以形成光的反馈谐振，因此SLD输出的是非相干光。

所以，SLD是一种宽光谱、弱时间相干性、大功率、高的效率的半导体光发l射器件。其光学性质介于 LD 和 LED 之间，具有比 LD 更宽的发光光谱和更短的相干长度，比 LED 有更高的输出功率，更高的调制带宽。

光学相干层析成像系统结合了低相干干涉和共焦显微测量的特点。系统选用的光源为宽带光源，常用的是超辐射发光二极管(SLD)。光源发出的光经2×2耦合器分别通过样品臂和参考臂照射到样品和参考镜，两个光路中的反射光在耦合器中汇合，而两臂光程差只有在一个相干长度内才能发生干涉信号。同时由于系统的样品臂是一个共焦显微镜系统，探测光束焦点处返回的光束具有的信号，SLED，可以排除焦点外的样品散射光的影响，这是OCT可以成像的原因之一。把干涉信号输出到探测器，信号的强度对应样品的反射强度，经过解调电路的处理，后由采集卡采集到计算机进行灰度成像。

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