SLD的光学带宽通常是几十纳米。对应的相干长度为几十微米。输出的波长通常为800 nm，1300 nm和1550 nm。输出功率在几毫瓦到几十毫瓦之间。由于辐射的光在空间上接近于是衍射极限的，即空间相干性和光束质量都很高，很容易耦合进光纤中。
SLD的这些特性使得在需要平滑的宽光谱（低的时间相干性）和高的空间相干性、相对较高强度光源的领域中不可少。例如：
在光学相干断层扫描（OCT）中，用于眼角l膜和视网l膜诊断、心血l管造影以及其他生物医学或者生物研究中，需要高空间分辨率、宽带宽的影像，以及在高的信噪比情况下需要比较高的光功率时，需要用SLD。
什么是SLD（超辐射发光二极管）光源?
概况SLD（超辐射发光二极管/SLED）光源提供与激光二极管等效的输出功率和与LED（发光二极管）等效的宽振荡光谱宽度，以及低相干度。由于它发射的光具有相当于激光二极管的窄有源层，因此非常适合进入光纤，并且具有介于LD和LED之间的特性。
SLD光源是OCT的更佳光源，由于SLD光源像ASE光源一样发出自发辐射光，因此具有较宽的光谱宽度和较低的相干性。更宽的光谱宽度可以实现更高的测量分辨率和特别准确的成像。
先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别，这样可能更好的理解。
超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性，LED是纯粹的自发辐射，功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高，自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子，在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射，受激发射的光子从而呈指数型增加，由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点，即腔内损耗等于增益的时候。
对于光谱特性，SLD是初的自发发射谱和LED相同，SLED，但在增益的过程中，靠近中心增益波长的光子得到更大的放大，远离中心增益波长的光子得到的较小的放大，从而使光谱变窄。
对于远场分布特性，SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向，由于LED是随机的自发辐射，方向也都是随机的，在这一方向的发散角是120°左右，而SLD在经过定向的自发放大后，发散角也得到了缩小，接近于LD的状态，一般为20°左右。
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