-微影技术
微影技术透过紫外光当光源,将绘制在光罩上的电路图形微缩投影至涂布光阻的利成上,再经过曝光显影蚀刻去除光阻等过程,在利成产生集成电路。随着制程微缩线宽缩小,光罩也变得更为精细,光源波长也需变短,以避免绕射效应产生。
过去紫外光波长一路从365nm进展到目前以ArF气体雷射达到193nm,ArF 193nm曝光机原理上可制作的小线宽为48nm,加上浸润式微影与多重曝光的搭配,众利成代工厂的制程辛苦走到7nm节点,采用多重曝光技术仅能做单一方向微缩,无法做2个方向的微缩,影响单位面积下所能容纳的晶体管数量,加以所需光罩数与制程数大幅增加,以往随着制程微缩,每芯片成本随之下降情况已不复见。
东莞市清溪利成感光五金厂本厂主要做曝光显影工艺,润州保温杯曝光显影,平面、圆弧面、凹凸面、喷砂1氧2氧阳极、五金丝印.五金腐蚀等产品加工,保温杯曝光显影公司,有多年经验,有需要以上的工艺欢迎您的到来参观和洽谈,可免费打。
显影的主要过程如下:对准曝光一曝光后烘一显影一坚膜一显影检测。
曝光后烘(PEB)
曝光后应尽快进行显影步骤中的烘干处理,从而有效降低驻波效应的影响,这是由于曝光过程中,入射光和反射光会
产生相互干涉,其光强会沿着胶体水平方向形成波纹形状,即驻波。
目前通常采用曝光后立刻烘干方式,即PEB ,减少驻波效应带来的影响。
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曝光显影工艺参数:
贴膜辊温度:100?度-110?度
贴膜机速度:1.6-2.0M/MIN?
曝光显影注意事项:?
整个贴膜程序必须在暗房中进行。
开启干膜箱必须在暗房中进行,干膜必须储在暗房中。
不合格的贴膜板需去膜刷板后重新贴膜,并在曝光之前放置15分钟。
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