1.1 单元泵（G1310A）
流速范围：0.001~10.0mL/min， 0.001mL/min 步进
压力范围：0~40 Mpa（0~400bar，0~5880psi），<5mL/min；
0~20 Mpa（0~200bar，0~2950psi），0~10mL/min
功能扩展：可升级成为四元泵
1.2 二元泵（G1312A/B）
双高压泵头集成于同一组件中，1200液相哪里有，大限度减小系统延迟体积，并保证佳梯度混合准确
度及精密度。
流速范围：0.001~5.0mL/min，1200液相报价， 0.001mL/min 步进
操作压力：
G1312A 0~40 MPa (0~400 bar， 0~5880psi)
G1312B 0~60 MPa (0~600 bar， 0~8700psi)
梯度组成精密度：<0.15% RSD
梯度组成准确度：±0.5%
梯度延迟体积：
G1312A 180~480μL，1200液相，600~900μL 带混合器 (与反压相关)
G1312B 120μL
功能扩展：在线真空脱气机，溶剂选择阀。
实现晶体的外延生长。这种技术可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层，1200液相哪家好，用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。
液相外延技术(Liquid Phase Epitaxy，简称LPE)1963年由Nelson等人提出，其原理是:以低熔点的金属(如Ga、In等)为溶剂，以待生长材料(如Ga、As、Al等)和掺杂剂(如Zn、Te、Sn等)为溶质，使溶质在溶剂中呈饱和或过饱和状态。通过降温冷却使石墨舟中的溶质从溶剂中析出，在单晶衬底上定向生长一层晶体结构和晶格常数与单晶衬底足够相似的晶体材料，使晶体结构得以延续。
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