1 标准自动进样器（G1329A）
品容量：1个100位样品盘，每个样品盘可放置100个2-mL样品瓶
2个 40位样品盘，每个样品盘可放置 40个2-mL样品瓶
2 个 15 位样品盘，每个样品盘可放置 15 个 6-mL 样品瓶
样品残留：<0.05%（启动洗针程序）
重复进样次数：1~99 次/样品
大操作压力：400bar
3.2.2 能自动进样器（G1367B/C）
样品容量：2 块多孔板（96 孔板和/或 384 孔板）+ 10 个 2-mL 样品瓶
1 个 100 位样品盘，每个样品盘可放置 100 个 2-mL 样品瓶
2 个 40 位样品盘，二手1200怎么用，每个样品盘可放置 40 个 2-mL 样品瓶
样品残留：<0.01%
大操作压力：400bar（G1367B）；600bar（G1367C）
实现晶体的外延生长。这种技术可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层，用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。
正相柱活化流程：
2.1 保存溶剂为正相溶剂时：
若使用正相溶剂做流动相，可用正相流动相冲洗20倍体积。一般先用冲洗50倍体积，可用0. 2mL/min流速，再用流动相(/水)平衡50倍体积。
2.2 保存溶剂为反相体系时：
若使用反相体系做流动相，上海二手1200，使用反相溶剂冲洗20倍体积后即可使用。若使用正相体系做流动相先用冲洗50倍体积，可用0. 2mL/min流速，再用正相流动相平衡50倍体积。
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