




近日科技部高新司在组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。通过项目的实施,我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化材料、功率器件、封装以及可见光通信等领域取得突破。
中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚,与国外相比水平较低,阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始问题。随着国家对第三代半导体材料的重视,近年来,我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化为主的材料备受关注。我们认为,该项目取得的进展,显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代建设上的重大需求。
纯碳化硅为无色,而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物,碳化硅的氧化速率,在氧气中比在空气中快1.6倍;氧化速率的速度随着时间推移而减慢,。低品级碳化硅(含硅约85%)是的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量。此外,65碳化硅球价格,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。我厂主要生产销售硅锰合金、硅铁合金、硅钙合金、稀土合金、金属硅粉、粒、碳化硅、碳化硅脱氧剂、硅铁粉等各类铁合金,并根据客户的不同需要研制开发了各种定型和不定型耐火材料等系列产品,严格按照ISO9001国际质量认证标准生产,保证了公司产品质量.

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