




关于拉曼光谱你应该知道的
拉曼光谱对于分子键合以及样品的结构非常敏感,滁州紫外拉曼光谱仪探测器,因而每种分子或样品都会有其特有的光谱“指纹”。这些“指纹”可以用来进行化学鉴别、形态与相、内压力/应力以及组成成份等方面的研究和分析。拉曼光谱的信号非常微弱,大致是瑞利散射的10e-61 ~1 0e-8的级别,普通的设计取得拉曼信号非常困难,所以需要加上较好的陷波滤波片尽量的消减瑞利散射。这样,拉曼信号依然和背景大致相当,甚至更低,还需要考虑光谱仪本身的杂散光阻挡能力,使用何种探测器,紫外拉曼光谱仪探测器厂家,样本是否有荧光干扰等等。

如何挑选合适的拉曼探测器?
UV~VIS~NIR范围,许多不同的波长常用于拉曼光谱中。为特定的应用选择理想的激光波长并不总是显而易见的。为了优化拉曼光谱实验,必须考虑许多变量,其中许多变量与波长选择有关。
首先,拉曼信号本身就很弱。它依赖于样品材料中的光子-声子相互作用,这个事件概率通常不足百万分之一。
此外,拉曼散射强度与激光波长的四次方成反比,这意味着波长越长,拉曼信号越弱。
其次,探测器的灵敏度也取决于波长范围。目前常用的拉曼信号检测方法是CCD。这些CCD器件的效率在超过800nm时下降得相当快。对于超过800 nm的激光激发,紫外拉曼光谱仪探测器厂家,可以使用InGaAs阵列器件,但这些器件会带来更高的噪声水平、更低的灵敏度和更高的成本。拉曼信号强度和检测灵敏度的波长依赖性似乎都指向使用更短的波长照明(紫外和可见),而不是更长的波长(近红外)。
然而,对于更短的波长照明,有一个挑战需要克服:荧光发射。许多材料在短波激发下发出荧光,荧光可以淹没微弱的拉曼信号。

光电探测器
光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用,这主要是基于半导体材料的光生伏应,所谓的光生伏应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态,而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体上时,若这个光电导体为本征半导体材料,且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去,使光导体的电导率变大是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象,光子作用于光电导材料,形成本征吸收或杂质吸收,产生附加的光生载流子,从而使半导体的电导率发生变化,产生光电导效应。)

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