





微光显微镜侦测得到亮点之情况:会产生亮点的缺陷 - 漏电结(Junction Leakage); 接触毛刺(Contact spiking); (热电子效应)Hot electr;闩锁效应( Latch-Up);氧化层漏电( Gate oxide defects / Leakage(F-N current));多晶硅晶须(Poly-silicon filaments); 衬底损伤(Substrate damage); (物理损伤)Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse;biased diodes(break down) 等。

微光显微镜光发射显微镜是器件分析过程中针对漏电失效模式,的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺陷,或者期间经过外界静穿,均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电得状态下,内部形成流动电流,精细研磨,漏电位置的电子会发生迁移,精细研磨设备,形成电能向光能的转化,即电能以光能的方式释放,从而形成200nm~1700nm红外线。光发射显微镜主要利用红外线侦测器,通过红外显微镜探测到这些释放出来的红外线,从而的定位到器件的漏电点。

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