原包A规B173HAN01.4液晶屏「多图」

而gate走线就是接到每一个TFT的gate端的走线，主要是作为gate driver送出信号来打开TFT，好让TFT对显示电极作充放电的动作。所以当下一条gate走线送出电压要打开下一个TFT时，便会影响到储存电容上储存电压的大小。不过由于下一条gate走线打开到关闭的时间很短(以1024 x 768分辨率，60Hz更新频率的面板来说。一条gate走线打开的时间约为20μs，而显示画面更新的时间约为16ms，所以相较下影响有限)，所以当下一条gate走线关闭，回复到原先的电压，则Cs储存电容的电压，原包A规B173HAN01.4液晶屏，也会随之恢复到正常。这也是为什么大多数的储存电容设计都是采用Cs on gate的方式的原因。

目前传统的电容式指纹识别芯片，无论是主动式还是被动式，技术都已经成熟；能够提供成熟的支持coating产品的芯片厂商不下十家。进入2017年，价格竞争更加激烈，各家芯片价格普遍到1美金左右。据晶圆代工业人士分析1美金已经达到主动式芯片的成本线，距离被动式芯片的成本也只有30%左右的空间。

所以各芯片厂家纷纷祭出后两招，即缩小感应区面积和采用固定尺寸的QFN封装，不过这显然是以损失用户体验和ID设计的灵活性为代价的。

这两种储存电容架构，图中可以很明显地知道，Cs on gate由于不必像Cs on common需要增加一条额外的common走线，所以其开口率(Aperture ratio)比较大。而开口率的大小是影响面板的亮度与设计的重要因素，所以现今面板的设计大多使用Cs on gate的方式。但是由于Cs on gate方式的储存电容是由下一条的gate走线与显示电极之间形成的(请见图2中Cs on gate与Cs on common的等效电路)，

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