轮廓检测装置-轮廓检测-特斯特

微光显微镜侦测不到亮点之情况：不会出现亮点的故障 - 欧姆接触；金属互联短路；表面反型层；硅导电通路等。亮点被遮蔽之情况 - Buried Juncti及Leakage sites under metal，轮廓检测厂家，这种情况可以采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。苏州特斯特电子科技有限公司，轮廓检测，主要从事各类测试、检测仪器设备的代理销售和技术服务，轮廓检测设备，产品涵盖电子元器件，电路板，线缆线束的测试与检测。







EMMI侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况；原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated Or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)动态式CMOS (Dynamic CMOS)二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(Ohmic Short / Metal Short)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(Buried Juncti)金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under Metal)




微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electr;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。




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