SEMILAB错位缺陷可视化装置EnVision
WT-2000 系列能够进行高速测量（20 晶圆/小时 - 2500 点），还支持高分辨率映射测量。
提供 266nm、355nm、405nm、532nm、785nm 和 980nm 的多种激光选项
晶体缺陷可视化装置 EnVision 是一种非破坏性、非接触式半导体检测系统，可以在 15 nm 级别可视化位错缺陷。错位缺陷的可视化使得过去依赖于工艺工程师的经验和直觉的工艺工作的定量优化成为可能。
对于2英寸到8英寸的硅晶圆和化合物半导体（GaAs、GaN、InP 等）外延晶圆，可以对载流子迁移率、薄层电阻和薄层电荷密度进行非接触和非破坏性测量。
COREMA-2000 能够对硅和化合物半导体进行非破坏性和非接触式电阻率测量。我们可以处理过去难以处理的超高电阻基板，例如半绝缘材料。
Cn-CV 350 CV/IV 系统基于获得的 Corona-Kelvin 方法提供 Semilab SDI CV/IV 测量，用于介电和界面特性的非接触成像。这个旗舰平台能够从双 FOUP 装载端口装载站自动处理晶圆，并且完够在苛刻的大批量生产环境中支持在线测量。
Cn-CV 330/230 CV/IV 系统基于获得的 Corona-Kelvin 方法提供 Semilab SDI CV/IV 测量，用于监测晶圆上的介电和界面特性的非接触式成像。
CV测量SEMILAB全自动CV测量MCV-2200发生器
CV测量SEMILAB全自动CV测量MCV-2200
全自动CV测量装置MCV-2200， MCV-2500，CV测量装置MCV系列MCV-530、MCV-530L，弹性金属探头CV测量装置FCV-3000，非接触式CV测量装置Cn-CV 300-SL，Cn-CV 310/210 CV/IV，Cn-CV 330/230 CV/IV，Cn-CV 350 CV/IV，吸入试验装置发生器DF-3型，CV-1500，自动寿命测量装置WT系列WT-2200，发生器， WT-2500， WT-3000，
产品介绍
CV测量装置 Mercury probe MCV是一种可以评估半导体硅晶片和化合物半导体SiC的电气特性以及MOS器件的氧化膜特性的装置。在一般的CV测量设备中，poly-Si、Al等被气相沉积在晶圆上作为栅电极，发生器SIS-CS型，形成MOS和肖特基结构后评估CV/IV特性。可以很容易地检查，而不需要MCV 自动映射系统对用于外延硅制造和半导体前端处理的未图案化晶圆执行 CV 测量。
SEMILAB扫描探针显微镜DS-95
Navigator 220
世界上个发现和重新发现目标区域的 SPM
高的性能：小的噪音，配备所有模式，自动发现和重新发现例程
使用方便：即插即用悬臂交换
灵活性：配置具有 50μm 或 200μm 扫描范围的 DS-95 扫描仪，大样品尺寸 150mm，各种光学显微镜选项
多功能性：大量附加组件和配件，与其他分析头组合，多个样品架可供选择
Igloo
低 SPM
高的性能：小的噪音，配备所有模式
使用方便：即插即用悬臂交换
灵活性：配置具有 50μm 或 200μm 扫描范围的 DS-95 扫描仪，大样品尺寸 50mm
多功能性：具有成本效益的配置
光学显微镜用AFM物镜
将您的光学显微镜升级到超原子分辨率
高的性能
小的噪音
配备所有模式
使用方便：即插即用悬臂交换
灵活性：配置具有 50μm 或 200μm 扫描范围的 DS-95 扫描仪
多功能性：兼容所有可容纳长工作距离物镜的显微镜
吸入试验装置发生器DF-3型-发生器-SIBATA柴田科学由重庆津泽机电科技有限公司提供。重庆津泽机电科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工队伍，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。津泽机电科技——您可信赖的朋友，公司地址：重庆市九龙坡区二郎街道火炬大道69号3幢501室，联系人：王慧。