因为ADC要在越来越高的频率下工作，半导体芯片射频测试，所以中频采样结构的功耗变得比头一种超外差结构越来越高，并因此而越来越昂贵，这是中频采样结构的较主要的缺点。由于这个原因，基于中频采样的射频结构往往更适合那些在相对低频或者中频的应用，毕竟这些频段对成本的影响不大。不过随着科技的发展，半导体射频测试技术，尤其是CMOS工艺的引进，使得集成高的性能的器件和电路的价格越来越低，在不远的将来，北京半导体射频测试，中频采样结构将不再是一种昂贵的选择。
温度、湿度以及其它环境条件是由电连接器所处的位置决定的，因而应考虑该位置及预期的环境。而其它相关贮存条件的适用期（shelflife）以及信息是什么。对环境的阐述中也应当涵盖有对冲击与振动的要求，包括出自于海运方面的要求，以及生产环境条件例如焊接温度与焊接周期持续时间的要求。连接器供应商表示，在连接器所导引的汇合型持续电流周围就是高温度产生的区域。
由于在直接转换结构中没有中频处理单元，带内阻断信号的功率将直接传递到混频器和模数转换器（如果信号链路上含有模数转换器）。低噪声的混频器将确保弱信号不会被噪声和阻断信号所淹没。另外，由于混频器具有高的输出摆幅和低的失真，阻断信号既不会过驱动整个系统也不会调制到我们需要的载波信号上。
对于基带超外差接受器，如果在本机锁相环和射频输入之间存在泄漏通路，就一定会产生直流失调。对于和全世界移动通信系统类似的支持跳频的一些射频应用来说，频率的跳变将导致本机锁相环路漏电的改变，并导致整个系统的直流失调的跳变。如果要纠正它，必须在系统中引入一个直流失调的补偿环路。尽管如此，在那些不需要跳频的应用中，本机锁相环的漏电是不变的，因此动态直流失调的补偿意义不大。
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