





实现晶体的外延生长。这种技术可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层,用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1] 。液相外延由尼尔松于1963年发明,成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法,被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延,二手1200液相怎么用,反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。

四元泵(G1354A)
通过高速比例阀控制形成低压四元梯度混合,标准配置在线真空脱气机。
流速范围:0.001~10mL/min, 0.001mL/min 步进
压力范围:0~40 Mpa(0~400bar,0~5880psi),<5mL/min;
0~20 Mpa(0~200bar,0~2950psi),0~10mL/min
梯度组成精度:<0.20% SD(0.2 及 1mL/min)
梯度组成比例范围:0~95% 或 5~100%
梯度延迟体积:800~1100μL(与反压相关)

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