




一般来说,LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型,LED芯片制造不对其产甞核本性改变,但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良,欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后,uv led模组价格,如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺,led模组厂家,对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后,芯片边缘会残留较多的碎屑粉末,这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电,甚至会有击穿现象。
另外,如果芯片表面光刻胶剥离不干净,将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
浅谈LED电子显示屏各方面性能智能化的必要性
近几年,LED电子显示屏市场十分,带动着整个LED显示屏行业进入到高速增长阶段。除了在户外被大量应用的广告屏、演艺屏、交通诱导屏等之外,应用于室内LED显示屏也是一个潜力巨大的市场,盐城led模组,其中包括室内监控大屏幕以及室内电子幕墙等。但从技术层面来看,实际上,在过去10年左右的时间里,大多数厂商推出的LED屏在基本的系统架构上并没有太大的变化,只是针对某些技术指标作一定程度的改善和修正。
同时,在产品的普及推广上也相对滞后,虽然早在几年前市场上就已有带PWM(脉冲宽度调制)功能的显示屏驱动IC产品推出,且市场人士也均已认同PWM功能具有高刷新率、电流恒定等优势,但由于价格等因素,至今为止这类显示屏驱动IC的市场份额仍旧不高,市场上应用量较大的还是以基本款居多(如聚积5024/26等),产品主要应用在一些较为注重品质的LED屏租赁市场中。
然而,伴随着目前LED显示屏市场的迅猛发展,越来越多的用户开始对LED屏提出了从视觉效果、传输方式、显示方式,到播放方式等一系列复杂的要求,这也使得LED屏产品面临一次全新的技术革新机遇,而作为整体显示屏系统的“大脑”——LED驱动IC将起到致关重要的作用。


1、什么是外延和外延片?
外延也称为外延生长,是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程,就是在单晶(或化合物)衬底材料上淀积一层薄的单晶(或化合物)层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料,它们各自有哪些优缺点?
用得蕞广泛的衬底材料是申化家,可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP,其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶,加工方便,价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料,对PN结发的光吸收比较多,影响发光效率。
磷化家可生长GaP:ZnO、GaP:N、GaAs、GaAlAs:N以及InGaAlP的顶层,其优点是它是透明材料,可制成透明衬底提高出光效率。
生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石(Al2O3)、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明,有利于提高发光效率,目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配;硬度高,造成加工成本高昂;热导率较低,不利于器件的热耗散,对制造功率led不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配,硬度低,易于加工,导热率较高,利于制作功率器件。
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