存储器-进口150度存储器型号-合肥启尔特(优选商家)

电擦可编程只读存储器（EEPROM或E2PROM）

EEPROM用电气方法将芯片中存储内容擦除，进口150度存储器参数，擦除速度较快，甚至在联机状态下也可以操作。相对来说，EPROM用紫外线擦除内容的操作就更复杂，速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式，使用字擦除方式可擦除一个存储单元，使用块擦除方式可擦除数据块中所有存储单元。

合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。

现在各新兴存储器的发展各占区位，MRAM在嵌入式的应用站稳位置，PCM和ReRAM则往SCM方向发展，ASML的SCM技术路标上的两个竞争者就是PCM和ReRAM，虽然现在ReRAM的实际容量还小。但是未来真正的决胜点，我认为是哪里一种新兴存储器能做到真正的3D制程，进口150度存储器型号，而不是cross-point，这样才有可能在价格上与3D NAND竞争。

FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，进口175度存储器参数，使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。