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铁电存储器(FRAM,ferroelectric RAM)是一种随机存取存储器,它将动态随机存取存储器(DRAM)的快速读取和写入访问--它是个人电脑存储中的类型--与在电源关掉后保留数据能力(就像其他稳定的存储设备一样,如只读存储器和闪存)结合起来。由于铁电存储器不像动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)一样密集(即在同样的空间中不能存储像它们一样多的数据),它很可能不能取代这些技术。然而,由于它能在非常低的电能需求下快速地存储,它有望在消费者的小型设备中得到广泛地应用,比如个人数字助理(PDA)、手机、功率表、智能卡以及安全系统。铁电存储器(FRAM)比闪存更快。在一些应用上,它也有可能替代电可擦除只读存储器(EEPROM)和静态随机存取存储器(SRAM),并成为未来的无线产品的关键元件。
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按存储器的性质分类 ⑴RAM随机存取存储器(Random Access Memory) CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后,所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同,RAM又分为两类: ①SRAM静态RAM(Static RAM) 静态RAM速度非常快,只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低,功耗也较大。一般高速缓冲存储器(Cache memory)用它组成。 ②DRAM动态RAM(Dynamic RAM) DRAM内容在 或 秒之后自动消失,因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新(Refresh)。由于他的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成,因此他的集成成本较低,另外耗电也少,150度FLASH芯片品牌,但是需要刷新电路。⑵ROM只读存储器(Read Only Memory) ROM存储器将程序及数据固化在芯片中,数据只能读出不能写入。电源关掉,数据也不会丢失。ROM按集成电路的内部结构可以分为:①PROM可编程ROM(Programable ROM )将设计的程序固化进去,ROM内容不可更改。②EPROM可擦除、可编程(Erasable PROM)可编程固化程序,且在程序固化后可通过紫外线光照擦除,以便重新固化新数据。③EEPROM电可擦除可编程(Electrically Erasable PROM) 可编程固化程序,并可利用电压来擦除芯片内容,以便重新固化新数据。
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NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
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