测井150度EEPROM存储器
我司供应如下高温产品：
150度175度高温晶振，150度高温单片机，150度175度200度以上高温电容，155度175度200度以上高温电阻，165度200度高温电感，150度175度高温存储器，150度175度200度高温AD，150度175度210度高温运放，200度压力传感器，23芯高温连接器，各种集成电路等。
双倍数据速率1 存储器 (DDR1)1代双倍数据速率存储器采用薄型小尺寸封装 (TSOP) 或球形网格阵列 (BGA)封装。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 提供高 400 兆赫(MHz)的传输速率，存储容量从 256 兆比特到 1 千兆比特。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存储器需 2.5V的电压及4，8，16 或 32比特的总线带宽。与双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 的区别： 双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存取和等待时间较短。
225度原装存储器参数
北京启尔特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高温存储器，销售150度FLASH芯片品牌，美国原厂进口，耐高温，销售200度FLASH芯片品牌，性能稳定，各种容量都有，适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域，感兴趣的客户，欢迎来电咨询！
折叠2.动态存储单元●存贮原理:利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新(早期:三管基本单元;现在:单管基本单元)
●刷新(再生):为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作
●刷新时间:定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间(小于2ms)。
●优点: 集成度远高于SRAM、价格也低
●缺点:因需刷新而使外围电路复杂;刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。
尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流的产品。
原装现货150度高温存储器
150度高温存储器 我司目前仅有25LC系列，H 150度温度级别小容量64K bit现货，数量不多欢迎选购。另外其同系列，256k bit. 25LC640A 25LC256.如有兴趣，欢迎致电本司。
分为外储存器和内储存器两种。
1） 内储存器（内存）
内储存器直接与CPU相连接，储存容量较小，但速度快，用来存放当前运行程序的指令和数据，并直接与CPU交换信息。内储存器由许多储存单元组成，每个单元能存放一个二进制数或一条由二进制编码表示的指令。内储存器是由随机储存器和只读储存器构成的．
2） 外储存器（外存）
外储存器是内储存器的扩充。它储存容量大，价格低，但储存速度慢，175度FLASH芯片品牌，一般用来存放大量暂时不用的程序，数据和中间结果，需要时，FLASH芯片，可成批的与内存进行信息交换。外存只能与内存交换信息，不能被计算机系统的其他部件直接访问。常用的外存有磁盘，磁带，光盘等。
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