测井150度EEPROM存储器
我司供应如下高温产品：
150度175度高温晶振，150度高温单片机，150度175度200度以上高温电容，155度175度200度以上高温电阻，165度200度高温电感，150度175度高温存储器，进口存储器，150度175度200度高温AD，150度175度210度高温运放，200度压力传感器，23芯高温连接器，各种集成电路等。
双倍数据速率1 存储器 (DDR1)1代双倍数据速率存储器采用薄型小尺寸封装 (TSOP) 或球形网格阵列 (BGA)封装。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 提供高 400 兆赫(MHz)的传输速率，210度进口存储器型号，存储容量从 256 兆比特到 1 千兆比特。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存储器需 2.5V的电压及4，8，16 或 32比特的总线带宽。与双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 的区别： 双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存取和等待时间较短。
测井175度高温存储器
北京启尔特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高温存储器，美国原厂进口，耐高温，性能稳定，各种容量都有，适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域，感兴趣的客户，欢迎来电咨询！
同步动态随机存取存储器（SDRAM：Synchronous DRAM）
中央处理器（CPU）与主机板上的主存储器（SDRAM）存取资料时的“工作时脉”（Clock）相同，故称为“同步”（Synchronous）。由于 CPU 在存取资料时不需要“等待”（Wait）因此效率较高，SDRAM 的存取速度较 DRAM 快，所以早期电脑主机板上都是使用 SDRAM 来取代传统 DRAM，不过目前也只有少数工业电脑仍然使用 SDRAM。
DRAM 使用一个电晶体（MOS）与一个电容来储存一个位的资料（一个 0 或一个 1），如图四（a）所示，当电晶体（MOS）不导通时没有电子流过，电容没有电荷，代表这一个位的资料是 0，如图四（b）所示；当电晶体（MOS）导通时（在闸极施加正电压），电子会由源极流向汲极，电容有电荷，代表这一个位的资料是 1，为了要将这些流过来的电荷“储存起来”，因此必须使用一个微小的电容，200度进口存储器型号，如图四（c）所示，DRAM 就是因为电容需要时间充电，所以速度比 SRAM 还慢。
进口150度高温存储器
北京启尔特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高温存储器，美国原厂进口，耐高温，性能稳定，各种容量都有，适用于随钻仪器及其他石油测井勘探领域，销售150度进口存储器型号，感兴趣的客户，欢迎来电咨询！
（1） 读操作
① 存储器收到地址总线上来的地址信号后，经过一定时间，片选信号CS有效（片选信号CS由地址信号译码产生）。
② 片选信号CS有效后，经过时间tCX，存储器开始输出数据。输出数据稳定后，CPU获得数据。从CS有效到数据稳定的时间是tCD。
③tOTD：恢复时间，用于存储器内部操作。从输出数据稳定至可以输入新的地址的时间
④ 地址信号消失后，数据维持的时间是tOHA。
⑤ 从存储器获得地址信号，到输出数据稳定的时间，称为"存取时间"tA。
⑥ 从存储器获得地址信号，到允许下次地址信号出现的时间，称为"读周期"tRC。 tRC=tA+tOTD。
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