新疆维吾尔自治显影机-顶旭(推荐商家)

耗材

硅片

硅片没有特殊要求，单面抛光即可。制备SU8模具时在硅片抛光旋涂光刻胶。

光刻掩膜板

光刻掩膜版（又称光罩，英文为Mask Reticle），简称掩膜版，是制备SU8模具光刻工艺所使用的图形母版，由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成微结构掩膜图形，通过曝光过程将微结构图形信息转移到SU8光刻胶涂层上，实现微结构的jing确复zhi。光刻掩膜版，一般可分为菲林掩膜版和玻璃掩膜版两种。

桌面光刻机

曝光光源：紫外LED光源波长：365nm;曝光面积：4英寸、6英寸可选；曝光方式：单面接触式定时曝光；曝光分辨率：2um；曝光强度：20~200mW/cm2可调；曝光不均匀性：≤5%；光源平行性：≤2°；光源寿命：≥20000h；电源输入：AC220V±10V，50HZ功率：250W重量：25kg外形尺寸：382（长）*371（宽）*435（高）工作环境：温度0℃-40 ℃，相对湿度＜80 %

SU8模具制备流程

1.备片

从化学品存放区取出清洁的硅片（确保硅片表面无尘）。

2.匀胶

1）打开匀胶机，将硅片放置在匀胶机托盘上，打开真空开关，确保硅片固定在托盘上不动；

2）将SU8光刻胶滴在硅片中间，显影机，根据光刻胶的厚度和制备要求设置匀胶机转速和时间。（举例说明：目标胶厚度50um，光刻胶型号：SU8-2075，1段500转8s，2段1800转30s）

3.前烘

1）将涂布好SU8光刻胶的硅片放置在热板上，进行预热烘烤，去除光刻胶中的挥发性有机溶ji，时间和温度根据光刻胶厚度进行调整。（举例说明：目标胶厚度50um ，设置温度65℃，烘烤15min，然后温度95度，烘烤15分钟）

4.曝光

1）将预热后的硅片放置在桌面光刻机托盘上。

2）使用相应的掩模（掩膜）放置在硅片上进行曝光，曝光时间和强度根据SU-8光刻胶的类型和厚度进行调整。（举例说明：目标胶厚度50um，设置曝光能量25mw/cm2，时间12s）

微流控芯片加工设备： 提供丰富多样的微流控芯片加工设备，涵盖SU8模具加工、PDMS芯片加工和玻璃芯片加工。可以帮助客户在自己的实验室内进行微流控芯片的快速制作，从而提高实验效率和灵活性。