合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
RAM随机存取存储器（Random Access Memory）
CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后，所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同，RAM又分为两类：
SRAM静态RAM（Static RAM）
静态RAM速度非常快，只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低，功耗也较大。一般高速缓冲存储器（Cache memory）用它组成。
150度芯片存储器
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闪速存储器（Flash ROM）是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器，是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器，Flash ROM突破了传统的存储器体系，200度高温随机存储器公司，改善了存储器产品的特性。
Flash ROM中的内容不像RAM一样需要电源支持才能保存，随机存储器，但又像RAM一样可重写。在某种低电压下，Flash ROM的内部信息可读不可写，类似于ROM，而在较高的电压下，其内部信息可以更改和删除，又类似于RAM。
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单片机的数据存储器由读写存储器 RAM 组成。其大容量可扩展到 64k，用于存储实时输入的数据。8051 内部有 256 个单元的内部数据存储器，其中 00H～7FH 为内部随机存储器 RAM，80H～FFH 为寄存器区。实际使用时应首先充分利用内部存储器，从使用角度讲，搞清内部数据存储器的结构和地址分配是十分重要的。因为将来在学习指令系统和程序设计时会经常用到它们。8051 内部数据存储器地址由 00H 至 FFH 共有 256 个字节的地址空间，该空间被分为两部分，其中内部数据 RAM 的地址为 00H～7FH(即 0～127)。而用做特殊功能寄存器的地址为 80H～FFH。在此 256 个字节中，200度随机存储器公司，还开辟有一个所谓“位地址”区，该区域内不但可按字节寻址，还可按“位(bit)”寻址。对于那些需要进行位操作的数据，可以存放到这个区域。从 00H 到 1FH 安排了四组工作寄存器，150度随机存储器公司，每组占用 8 个 RAM 字节，记为 R0～R7。究竟选用那一组寄存器，由前述标志寄存器中的 RS1 和 RS0 来选用。在这两位上放入不同的二进制数，即可选用不同的寄存器组。
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