合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或一次性固化程序而不利于调试的问题;也突破了EPROM必须脱机用紫外线来擦除的繁琐和不稳定等问题。EEPROM直接采用电来重写数据，并可按字节进行擦除和再编程，210度高温静态存储器厂家，从而克服了一般ROM的缺点和不足。但由于EEPROM的存储量一般不大，150度静态存储器厂家，因此只适用于一些小容量存储的场合。
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1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。
用户不能直接运行NAND Flash上的代码，175度高温静态存储器厂家，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
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单片机的数据存储器由读写存储器 RAM 组成。其大容量可扩展到 64k，用于存储实时输入的数据。8051 内部有 256 个单元的内部数据存储器，其中 00H～7FH 为内部随机存储器 RAM，80H～FFH 为寄存器区。实际使用时应首先充分利用内部存储器，从使用角度讲，搞清内部数据存储器的结构和地址分配是十分重要的。因为将来在学习指令系统和程序设计时会经常用到它们。8051 内部数据存储器地址由 00H 至 FFH 共有 256 个字节的地址空间，该空间被分为两部分，其中内部数据 RAM 的地址为 00H～7FH(即 0～127)。而用做特殊功能寄存器的地址为 80H～FFH。在此 256 个字节中，还开辟有一个所谓“位地址”区，该区域内不但可按字节寻址，还可按“位(bit)”寻址。对于那些需要进行位操作的数据，可以存放到这个区域。从 00H 到 1FH 安排了四组工作寄存器，每组占用 8 个 RAM 字节，记为 R0～R7。究竟选用那一组寄存器，由前述标志寄存器中的 RS1 和 RS0 来选用。在这两位上放入不同的二进制数，即可选用不同的寄存器组。
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