用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。
由于量i子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。
制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么?
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料，一般都可以做成N型衬底。
采用湿法工艺进行光刻，较为后用金刚砂轮刀片切割成芯片。
GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，led外延片价格，所以不能作为LED的一个极，led外延片报价，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。
它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。
把鲜红色和翠绿色的LED芯片或led灯管放到一块儿做为1个清晰度制做的显示器称之为两色或双基色屏，led外延片批发，把红、绿、蓝几种LED芯片或led灯管放到一块儿做为1个清晰度的显示器叫三基色屏或全彩显示屏。假如只能这种色就称为纯色或单基色屏，制做房间内LED屏的清晰度规格通常是1.5-12mm，经常选用把几类能造成不一样基色的LED管芯封裝成一体化，户外LED屏的清晰度规格多见6-41.5mm，每一清晰度由数个各种各样纯色LED构成，普遍的制成品称像素筒，两色像素筒通常由2红1绿构成，两色像素筒用1红1绿1蓝构成。
电子芯片和LED芯片有什么主要区别？
1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm这个量级，但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路（常说的7nm/10nm工艺），IC设计和制造一样为非常复杂高难度的工程，由此衍生既像Intel、三星这样设计制造一体的公司，也有高通、苹果这样的Fabless公司及台积电这样的代工厂；而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极，里面的制程可能100um/10um级就够了，制造工艺流程也简单很多，从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的LED IC设计公司。
2，六安led外延片，芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求很高，前者可能影响性能，缺陷多了，载流子移动速度上不来，如同一批货，有的能跑2.8GHz频率，有的只能跑2G以下；LED芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级（印象中数据），否则严重影响发光效率，也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。LED技术和产品已有几十年历史，但大规模使用（如液晶屏幕背光）是这二十年来的事情，材料不行导致发光效率低是首要原因。
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