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半电流IGBT
半电流IGBT是一种新型的功率半导体器件,具有快速导通、高速关断的特点。其具体性能包括高耐压能力(高650V)、低饱和电压和良好的热稳定性等优点使其在强电领域有着广泛的应用前景.
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