





压控振荡封装方式
VCO采用多种封装形式,通常采用表面贴装封装或同轴连接封装。通常采用坚固及气密性封装,或者专门针对恶劣环境和满足高可靠性标准(工业、商业或用途)进行封装。从常见物料到难寻器件,一应俱全。工作频率范围从DC至220 GHz.
元器件产品被广泛用于航空航天、电信、商业以及工业领域中的测试、开发和系统部署等应用。因此,电镀和封装材料/技术通常满足标准规定,能够达到相关的运行温度范围、湿度、冲击和振动要求。
锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究
空间辐射环境中的锁相环在SET作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对SET敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用TCAD混合模拟的方法,电压调振荡器生产厂家,针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器,研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响,通过分析失效机理,以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明,当器件工作在截止区时,入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高,轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。
一种具有温度补偿效应的环形振荡器设计
介绍了一种基于O.35μm标准CMOS工艺实现的三级差分环形压控振荡器。结果表明,电压调振荡器报价,2.5V电源电压供电时,振荡器中心频率为315MHz,工作电流为330uA,电路功耗仅为825uW。温度范围为一30~80℃,电压调振荡器,输出频率的中心频率为295~328MHz,频率变化小于1000ppm。本设计可极大的改善由于温度引起的振荡器频率严重变化的影响,可应用于锁相环和频率综合器设计中。
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