在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，led外延片批发，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
LED芯片的分类——GB芯片
LED芯片的分类有哪些呢？
GB芯片定义和特点
定义：Glue Bonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专i利产品。
特点：
(1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上，蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
(2)芯片四面发光，具有出色的Pattern图。
(3)亮度方面，其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。
(4)双电极结构，其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。
LED屏和主板之间的数据传输一般采用的都是串行式数据传输方式(SPI)，再通过信号包复用技术同步传送显示数据和控制数据，但在刷新率和解析度提高的情况下，很容易造成资料传输的瓶颈，导致系统的不稳定。此外，在LED屏屏幕面积较大时，控制线往往也非常长，容易受到电磁干扰，影响传输信号的质量。
虽然近年来有些厂商引入了新的传输介质，但如何才能为用户提供真正性能，led外延片多少钱，且较高的产品方案是困扰产业的一个重点问题。为此，部分厂商提出，LED显示屏的数据传输方式亟待需要从层的技术层面入手，寻找到一种创新的解决方案。
值得注意的是，LED屏技术革新已牵涉到产业链的各个环节，包括驱动IC制作工艺的提升、控制系统的硬件化、控制软件的智能化开发等等，这些技术创新需要IC设计厂商、控制系统开发厂商、面板厂商，甚于包括终端用户等更为紧密地结合在一起，淮南led外延片，共同打破行业应用的“僵局”。特别是在控制系统的开发上，如何与IC设计公司更好地相互协作，提高LED屏的系统性能以及控制软件的智能化水平是当务之急。
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