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电子元器件都有电气参数，在选型时要给电子元器件留出足够的余量，才能保证电子元器件的稳定性和长期运行。接下来简要介绍一下三极管和MOS管的选型方法。

三极管是一种流控型器件，mos厂家，MOS管是压控型器件，两者之间有相似之处，在选择时需要考虑耐压、电流等参数。

1、根据耐压选型

三极管的集电极C与发射极E之间能承受的电压参数为V(BR)CEO，工作时CE之间的电压不得超过规定值，否则三极管将永i久损坏。

在使用过程中，MOS管的漏极D与源极S之间也存在电压，工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般来说，MOS管的耐压值远高于三极管。

2、过电流能力

三极管有ICM参数，即集电极的过电流能力，MOS管的过电流能力以ID来表示。当电流工作时，流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值，否则器件将会被烧坏。

考虑到工作稳定性，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。

3、工作温度

商业级芯片：一般范围在0到+70℃；

工业级芯片:一般范围在-40到+85℃；

军i工级芯片：一般范围在-55℃到+150℃；

在进行MOS管选型时，要根据产品的使用场合选择合适的芯片。

4、根据开关频率选择

三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数。如果用于高频电路中，必须考虑开关管的响应时间是否符合使用条件。

5、其他选型条件

例如，MOS管的导通电阻Ron参数、MOS管的VTH开启电压等。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，mos万芯半导体，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

MOS管的选型是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，同时也会给工程师带来诸多麻烦。

为设计选择正确器件的头一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。

在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

场效应管有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，场效应管可被看成电气开关。当在n沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，宁海mos，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，mos价格，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。